Tranzystor polowy JFET(eng. Junction Field Effect Transistor) z kanałem typu p posiada trzy elektrody:
• bramkÄ™ G (eng. Gate)
• dren D (eng. Drain)
• ÂzródÅ‚o S (eng. Source)
Tranzystor JFET(p) posiada kanaÅ‚, który zbudowany jest z półprzewodnika typu p. KanaÅ‚ rozciÄ…ga siÄ™ od ÂzródÅ‚a S do drenu D. Przekrój czynny kanaÅ‚u sterowany jest poprzez bramkÄ™ G, bramka G wykonana jest z półprzewodnika typu n.
Za przepÅ‚yw prÄ…du elektrycznego w kanale tranzystora polowego JFET z kanaÅ‚em p odpowiadajÄ… noÅ›niki wiÄ™kszoÅ›ciowe. W przypadku tranzystora JFET(p) noÅ›nikami wiÄ™kszoÅ›ciowymi sÄ… dziury. PrzepÅ‚yw noÅ›ników wiÄ™kszoÅ›ciowych (dziur) jest zawsze w kierunku od ÂzródÅ‚a S do drenu D.
Szerokość kanaÅ‚u tranzystorze polowym JFET zależy od napiÄ™cia UGS, które jest napiÄ™ciem pomiÄ™dzy bramkÄ… G a ÂzródÅ‚em S. NapiÄ™cie to pozwala sterować szerokoÅ›ciÄ… kanaÅ‚u w tranzystorze. GranicznÄ… wartoÅ›ciÄ… napiÄ™cia UGS jest napiÄ™cie UGS_OFF przy którym kanaÅ‚ w tranzystorze zostaje zatkany i przepÅ‚yw noÅ›ników wiÄ™kszoÅ›ciowych przez kanaÅ‚ jest niemożliwy.
