Modele symulacyjne do wyznaczania charakterystyk statycznych tranzystora bipolarnego pnp. Symulacja działania modeli układów elektronicznych z tranzystorem pnp została wykonana w programie Pspice student. Charakterystyki statyczne można oczywiście uzyskać w wyniku pomiarów laboratoryjnych, wystarczy zbudować odpowiedni układ pomiarowy, a następnie wykonać i zanotować szereg pomiarów. Na podstawie uzyskanych wyników wykreśla się charakterystyki, charakterystyki wykonane "fizycznie" w laboratorium mogą się delikatnie różnić od tych uzyskanych w symulacjach. Należy jednak pamiętać, że pomiary wykonane i uzyskane na fizycznym obiekcie są dużo bardziej wartościowe od tych uzyskanych w wyniku symulacji. Projektowanie układów programach symulacyjnych jest możliwe dzięki modelom matematycznym, które zostały wyznaczone w oparciu na fizycznych obiektach.
Charakterystyka wejściowa tranzystora bipolarnego pnp przedstawia zależność prądu bazy IB w funkcji napięcia pomiędzy bazą i emiterem UBE, przy ustalonej wartości napięcia pomiędzy kolektorem i emiterem → IBf(UBE) przy UCE=constant.
Rodzina charakterystyk wyjściowych tranzystora bipolarnego jest zbiorem czterech charakterystyk wyjściowych, każda z charakterystyk w zbiorze jest wykreślona dla innej wartości parametru ustalonego. Charakterystyka wyjściowa tranzystora bipolarnego pnp przedstawia zależność prądu kolektora IC w funkcji napięcia pomiędzy kolektorem i emiterem UCE, przy ustalonej wartości prądu bazy → ICf(UCE) przy IB=constant.
Charakterystyka przejściowa prądowa tranzystora bipolarnego pnp przedstawia zależność prądu kolektora IC w funkcji prądu bazy IB, przy ustalonej wartości napięcia pomiędzy kolektorem i emiterem → ICf(IB) przy UCE=constant.
Charakterystyka zwrotna napięciowa tranzystora bipolarnego pnp przedstawia zależność napięcia pomiędzy bazą a emiterem UBE w funkcji napięcia pomiędzy kolektorem i emiterem UCE, przy ustalonej wartości prądu bazy → UBEf(UCE) przy IB=constant.
